- 非IC关键词
企业档案
您的当前位置：东莞市宇芯电子有限公司 > 元器件产品
产品信息
贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管
20V场效应管 GM2020E的脚位图：
20V场效应管 GM2020E的极限值：
- 漏极-源极电压：20V
- 栅极-源极电压：±6V
- 漏极电流-连续：0.9A
- 漏极电流-脉冲：1.4A
- 总耗散功率：370mW
- 结温：150℃
- 存储温度：-55~+150℃
20V场效应管 GM2020E的电特性：
| 参数 | 符号 | 值 | 典型值 | 值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 20 |
|
|
V |
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.45 |
|
0.85 | |
| 内附二极管正向压降 | VSD |
|
|
1.1 | |
| 零栅压漏极电流 | IDSS |
|
|
100 | nA |
| 栅极漏电流 | IGSS |
|
|
±5 | uA |
|
静态漏源导通电阻 ID=0.55A,VGS=4.5V |
RDS(ON) |
|
220 | 310 |
mΩ |
|
静态漏源导通电阻 ID=0.45A,VGS=2.5V |
|
260 | 360 | ||
|
静态漏源导通电阻 ID=0.35A,VGS=1.8V |
|
320 | 460 | ||
| 输入电容 | CISS |
|
50 |
|
pF |
| 输出电容 | COSS |
|
13 |
|
|
| 开启时间 | t(on) |
|
22 |
|
ns |
| 关断时间 | t(off) |
|
700 |
|
20V场效应管 GM2020E的封装外形尺寸：
