低压mos管与高压mos管的区别是什么？如何分类？

一、MOS的构造

        MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN 型）增强型MOS管。它的栅极和其它电极间是绝缘的。

        同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管。图1-1所示（a ）、（b）分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。

二、MOS管的分类

        MOSFET是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

        MOS管的分类方法有多种分类方法：

        1、 按电压分类

        可分为中低压mos管和高压mos管

        2、按功率分类

        可分为大功率、中功率和小功率mos管

        3、 可分为结型管和绝缘栅型

        (1)、结型管(JFET)：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

        (2)、绝缘栅型：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。

        4、按沟道分类

        可分为N沟道和P沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。

三、MOS管的区别

        低压mos管与高压mos管的区别：高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。

        以上描述仅供参考，希望可以帮助到您

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