东莞市宇芯电子有限公司

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贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管
贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管
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贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管

型号/规格:

GM2020E

品牌/商标:

宇芯微

封装形式:

SOT-23

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

单件包装

PDF资料:

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产品信息

贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管



20V场效应管 GM2020E的脚位图:



20V场效应管 GM2020E的极限值:

  • 漏极-源极电压:20V
  • 栅极-源极电压:±6V
  • 漏极电流-连续:0.9A
  • 漏极电流-脉冲:1.4A
  • 总耗散功率:370mW
  • 结温:150℃
  • 存储温度:-55~+150


20V场效应管 GM2020E的电特性:

参数 符号 典型值 单位
漏极-源极击穿电压 BVDSS 20

V
栅极开启电压 VGS(th) 0.45
0.85
内附二极管正向压降 VSD

1.1
零栅压漏极电流 IDSS

100 nA
栅极漏电流 IGSS

±5 uA

静态漏源导通电阻

ID=0.55A,VGS=4.5V

RDS(ON)

220 310

静态漏源导通电阻

ID=0.45A,VGS=2.5V


260 360

静态漏源导通电阻

ID=0.35A,VGS=1.8V


320 460
输入电容 CISS
50
pF
输出电容 COSS
13
开启时间 t(on)
22
ns
关断时间 t(off)
700

20V场效应管 GM2020E的封装外形尺寸: